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发布日期:2020-10-14 作者:物理科学与技术学院 文章来源:未知  责任编辑:

报告题目:维度无关的半导体缺陷计算理论

报告人:中科院半导体所研究员,邓惠雄,优青

报告时间:2020年10月29日,下午13:00

报告地点:龙赛理科楼北楼116

 

报告摘要:

半导体作为当今信息科学技术的基础,具有重要的经济地位和战略价值。而决定半导体材料能否广泛应用于微电子或光电子器件的一个重要因素在于其是否具有优良的掺杂和缺陷性质。近30年来,传统的基于第一性原理缺陷计算理论在缺陷和掺杂性质模拟和预测方面做了大量的工作,但也存着一些争议。在本报告中,我们首先将阐述基于传统“凝胶”模型的缺陷计算理论的局限性,尤其在应用于低维结构半导体中时;然后,我们将提出一个物理上更为直接、普适的、维度无关的缺陷计算理论。该理论对于三维结构半导体可以得到同传统“凝胶”模型类似的结果,而对于低维结构半导体系统,如二维材料,量子点,量子线等,它可以完成克服传统的“凝胶”模型在计算带电缺陷时发散的问题。上述方法已在QE、PWMAT软件中集成。

  

报告人简介:

邓惠雄,中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员,国家优秀青年基金获得者,中科院创新促进会会员。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体光电功能材料的物性探究与设计的研究工作。迄今已在Nature Energy、 Nature Comm、Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B、Adv. Mater.等期刊上发表SCI论文60余篇。

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